原理图如图所示。

输入23.6V,输出36V,负载66W左右。

R8003为0Ω实际测量波形过程中，发现铁硅铝磁环电感和一体成型封装电感的Isens波形有较大差异此图Ton 时间 斜率Ipeak=32.4mv/20mΩ=1.62A L=V*Ton/Ip=23.6V*1.28us/1.62A=18.6uH。

实际电桥测得电感量200Khz 0.25V条件下为47uH此图Ton 时间 斜率Ipeak=40mv/20mΩ=2A L=V*Ton/Ip=23.6V*1.37us/2A=16uH。

(22-16)/22=27%倒也说得过去此图Ton 时间 斜率Ipeak=61mv/20mΩ=3A L=V*Ton/Ip=23.6V*1.37us/3A=10.7uH。

不知为何按照实际测得的波形Vton=LI反推电感值，铁硅铝绕线电感感量与实际相差50%以上，一体成形封装电感基本吻合，这个原因是为什么，求各位指教
楼主也可以换其他测试方法
用磁环绕电感，材料原因，是要考虑偏置电流下的电感量降低问题的。

看波形，你的开关频率应该在240KHz左右，由于磁性材料的原因，磁环的推荐工作频率不超过100K，一般应用低于80KHz。

猜测可能会有一定的关系。

另外，看你的原理图，MOS驱动没有预留驱动电阻，由于PCB走线的引线电感，驱动波形可能会有震荡。

GS的上升下降时间可以调整一下。

可以从这个方面优化一下。