线路板元器件和其他外壳散热器灯材料全部到齐。

动手制作啦！
这4脚的单片机把我焊得够惨的。

焊接经验 焊锡使用不环保65度，烙铁温度270℃左右。

先短路，再挑开。

焊这家伙的时间可以把其他芯片挨个焊个遍了。

哈哈。

实属不易。

这4脚的单片机把我焊得够惨的。

焊接经验 焊锡使用不环保65度，烙铁温度270℃左右。

先短路，再挑开。

焊这家伙的时间可以把其他芯片挨个焊个遍了。

哈哈。

实属不易。

单片机焊完后 程序烧录，使用STC烧录器。

MOS和7812来个全家福。

画尺寸，定位，准备动手打孔打孔，螺丝全部使用M3，所以孔选择2.3mm，攻丝3mm攻丝完成，丝锥合影。

攻丝小提示：每次攻丝丝锥一定要涂上润滑油，不然钨钢的丝锥也被铝型材打败。

攻丝后记得倒角。

锁上管子后的散热器
请问为什么不用 low Rdson low Qg的超级硅或氮化镓来减小散热片尺寸？是出于什么考虑？谢谢
电子负载不存需要低导通阻抗这个概念。

因为电子负载工作的时候，是工作在线性放大区（超大导通阻抗区域）举个例子：当输入24V，需要输出3A的时候，Pmos_ds上所需要消耗的能量是24*3A=72W你这边所列举的低导通阻抗概念，是在完全导通状态下的。

不适用电子负载，电子负载是工作在不完全导通（线性放大区）状态下。

我测试的波形里面有几个波形你可以找一下，在导通不同电流的情况下，MOS给的是不同的Ugs。