碳化硅MOS,全桥逆变驱动,主电路通电后上桥VGS有个尖刺,且随主电路电压...
使用Sic MOS搭建的逆变电路。
主电路通电后,上桥臂栅极打开前,有一个向下的尖峰,且随着主电路的电压增加而增加。
求解决方法。
黄色VGS蓝色VDS紫色输出电流 660c9feb320513a02221ae1781183591.jpg(397.74 KB, 下载次数: 7)下载附件2020-9-4 14:53 上传主电路0V时,VGS波形41ec2396087cb6fb23046d0c784dc3dd.jpg(430.99 KB, 下载次数: 5)下载附件2020-9-4 14:54 上传主电路270V时249d002a9171170ac9b21ee683c46990.jpg(459.82 KB, 下载次数: 6)下载附件2020-9-4 14:54 上传主电路270V时6fb6cbfdc037c5f0615cf94411764c19.jpg(462.29 KB, 下载次数: 9)下载附件2020-9-4 14:54 上传主电路270V时全桥LLC?
LCC逆变接下图这个电路
上桥VGS就不必测了,测了也是假的
米勒电荷太强,驱动太弱。
ZVS为什么还有米勒电容影响?
使用的英飞凌的IMZ120R045M1这款MOS,驱动芯片用的TI的iso5852s。
感觉驱动能力能满足啊
大佬,你感觉这个拉低是个米勒平台吗?那为什么从-4V开始。
这款MOS的VTH应该在4.54V左右.
这不是正常的吗?上管关断以后电感内电流从下管续流,有一部分续流电流会经过C_dg和Cgs,自然会有负电平,不过你的续流能量不够,没有把DS拉到地,也就是你的下管的体二极管没有导通,不然就是ZVS开通,那时就没有米勒平台了