最近设计了一款18-35V输入，12V/0.83A输出的直流DCDC电源，芯片选用金升阳的SCM1101AMA，变压器选用其标准变压器TTURA-10T，原理图如下：

在采用NCEP0112AS的情况下，采样电阻上的波形有一个凹陷，此时效率约79.5%，而采用CJA03N10的情况下，采样电阻上的波形凹陷几乎没有，效率约83%。

这个电流凹陷是怎么产生的？难道是芯片不足以驱动这个NCEP0112AS这款MOS吗？
电源输入18V，输出12V/0.7A，蓝色为源漏极波形，黄色为采样电阻波形。

看mosfet的驱动波形，看是不是米勒效应太大？
应该是MOS没有完全关断造成的：Qgs太大，释放太慢了。