在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中 Gate-Source 电压的动作”时，本文先对 SiC MOSFET 的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。

SiC SiC MOSFET 的桥式结构下面给出的电路图是在桥式结构中使用 SiC MOSFET 时最简单的同步式 boost 电路。

该电路中使用的 SiC MOSFET 的高边（HS）和低边（LS）是交替导通的，为了防止 HS 和 LS 同时导通，设置了两个 SiC MOSFET 均为 OFF 的死区时间。

右下方的波形表示其门极信号（VG）时序。

该电路中 HS 和 LS MOSFET 的 Drain-Source 电压（VDS）和漏极电流（ID）的波形示意图如下。

这是电感 L 的电流处于连续动作状态，即所谓的硬开关状态的波形。

横轴表示时间，时间范围 Tk（k=1～8）的定义如下：T1：LS 为 ON 时、MOSFET 电流变化的时间段T2：LS 为 ON 时、MOSFET 电压变化的时间段T3：LS 为 ON 时的时间段T4：LS 为 OFF 时、MOSFET 电压变化的时间段T5：LS 为 OFF 时、MOSFET 电流变化的时间段T4～T6：HS 变为 ON 之前的死区时间T7：HS 为 ON 的时间段（同步整流时间段）T8：HS 为 OFF 时、LS 变为 ON 之前的死区时间