650V MOS管 FCH041N65F_F085600V二极管 VS-ETU3006HSM3它们的相同电流下的VF值为什么差异这么大？ MOSguan.png(55.69 KB, 下载次数: 19)下载附件2020-9-13 07:50 上传diode.png(62.77 KB, 下载次数: 18)下载附件2020-9-13 07:50 上传 FCH041N65F_F085-D.PDF2020-9-13 07:52 上传点击文件名下载附件下载积分: 财富 -2 416.39 KB, 下载次数: 11, 下载积分: 财富 -2 vs-etu3006hsm3.pdf2020-9-13 07:53 上传点击文件名下载附件下载积分: 财富 -2 191.77 KB, 下载次数: 3, 下载积分: 财富 -2 最佳答案 zhuliu09 查看完整内容 你看下那个图里，在电流接近零时，这两个的电压是有差别的，即体二极管和分立二极管的开启电压VK(阈值电压)是不同，这个值和器件的能带在PN结附近的改变幅度有关（PN结的内建电势），受器件的掺杂浓度影响。

你给的这两个器件，应该是MOS管的衬底材料里掺杂浓度较低， 故开启电压VK小，同等电流时，正向电压VF也小，VF=VK+I*R ...你看下那个图里，在电流接近零时，这两个的电压是有差别的，即体二极管和分立二极管的开启电压VK(阈值电压)是不同，这个值和器件的能带在PN结附近的改变幅度有关（PN结的内建电势），受器件的掺杂浓度影响。

你给的这两个器件，应该是MOS管的衬底材料里掺杂浓度较低， 故开启电压VK小，同等电流时，正向电压VF也小，VF=VK+I*R
二楼正解，材质和工艺一定时，渗杂浓度向两个方向发展，1、高耐压。

2、低阻抗，两者不可兼得，需要折中均衡。

寄生的二极管特征不同也就合理了。

MOS管中的二极管是寄生的，并不给你当正常的二极管用。

是的，这是肯定的。

但是有些场景中，例如双向LLC拓扑，副边全桥整流结构中用四颗MOS。

正向LLC时副边MOS管不开通，作为二极管使用其实也没有毛病。

两图的 温度点有区别，没有对比的必要
提出这个问题的起因是，公司有两个机种，它们的功率等级相似，拓扑相似：PFC+LLC+副边用全桥结构。

A机种副边4颗MOS管，B机种是副边8颗二极管，每个桥臂两个二极管并联。

问题，B机种在某种工况下，二极管热过不了，损耗太大，但是相同工况，A机种也是用MOS的体二极管来整流就没有热的问题。

两者之间的损耗还是有很大差别的。

单纯利用MOS的体二极管整流？MOS全程关闭而没有同步驱动？
因为不同的卖点
超结MOS因为天生的体二极管反向恢复特性缺陷，为了适应这种工况的场合一般会单独做一个号称是优化体二极管的系列（比如英飞凌的CFD系;东芝的W系）对比看了一下，虽然体二极管的VF比VISHAY的这个UFRD要低，但是体现反向恢复特性的Trr和Qrr方面却差很多这也是为什么SJMOS不容易通过外部二极管进行反向恢复特性补偿。

应该不能当成快恢管来用，因为是寄生的快恢管，没有单独设计，性能和快恢复二极管的差异很大的，单独看电流和VF其实不科学