电路图如下，使用的是IR2110驱动H桥，STM32产生带死区的SPWM信号。

目前我焊了两个。

一个板子使用的是IRF840，GS电阻焊接了，DS反向二极管焊接了，G级电阻焊接了，没有焊G级哪儿的反向二极管。

这个板子的mos发热严重。

另一个板子用的是IRFP460，只焊接了G级电阻和反向二极管。

发热正常。

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两张板子的驱动信号是一致的，加的电压也都是310V，同样处于空载的状态。

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H桥.png(39.63 KB, 下载次数: 5)下载附件2020-9-16 14:36 上传 最佳答案 YTDFWANGWEI 查看完整内容 有可能是死区时间内GS电压没有降低到关断值，存在瞬时直通造成的，还有有可能是死区时间内GS电压没有降低到关断值，存在瞬时直通造成的，还有
加大死区时间后发热有所改善，多谢版主
G极驱动电阻减小一些GS泄放电阻换成10K试试看
G级电阻已经是10R了 还需要减小吗？
有可能是驱动能力弱
这个问题，在我的驱动专题中讲了N多次。

只要将驱动电压降到12V以下，这种标准高压MOSFET就基本不会在空载半桥产生炮弹电流。

加反向二极管后；在标准配比下，可以在更高电压下避免这种问题。

至于1N4148，实在有点复读机了。

再次强调下：1）市面上的1N4148有两种，一种是点触式。

也是传统结构。

只适合做检流不适用于此。

2A峰值电流就会出现失效。

2）现在；有些厂家把BAV19当成1N4148在卖。

由于管芯是0.5A二极管，还是可以的。

所以；不适所有1N4148都能用。

需要定型定厂家。

做好是别用；很容易搞错。

多谢版主解答，请教H桥是否需要RCD吸收电路，，G级的反向二极管是不用为好还是更换型号
你少画了啥东西
H桥的话只有这些母线VCC和GND没有截到。

驱动IR2110的电路没有放出来
那你就不能叫逆变，只能输出产生带死区的SPWM信号
电路图中vs1 vs2后端还有个LC滤波电路
问题就出在那里